Qualcomm Snapdragon 835: Επίσημα το πρώτο SoC της εταιρείας στα 10nm σε συνεργασία με τη Samsung

Οι φήμες ότι η Qualcomm ετοιμάζει την επόμενη γενιάς SoCs στα 10nm κυκλοφορούν από πέρυσι και τώρα έρχεται η επιβεβαίωση από την εταιρεία σε συνεργασία με τη Samsung. Συγκεκριμένα, οι δύο εταιρείες ανακοίνωσαν επίσημα πριν από λίγο το Qualcomm Snapdragon 835 SoC, το πρώτο στην ιστορία της Qualcomm κατασκευασμένο με τη διαδικασία FinFET στα 10nm.

Σύμφωνα με τη Samsung, η νέα τεχνολογία προσφέρει την επιλογή είτε για 27% υψηλότερη απόδοση είτε για 40% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας, ενώ παράλληλα εξοικονομείται χώρος για τοποθέτηση μεγαλύτερης μπαταρίας ή κατασκευή λεπτότερων συσκευών.

Ιδιαίτερο βάρος δόθηκε στη νέα τεχνολογία φόρτισης Quick Charge 4.0, η οποία είναι κατά 20% ταχύτερη από την προηγούμενη και πλήρως συμβατή με τις οδηγίες ασφαλείας της Google. Θεωρητικά, με μόλις 5 λεπτά φόρτισης θα κερδίζουμε αυτονομία 5 ωρών και με 15 λεπτά θα φτάνουμε στο 50%, ενώ θα υπάρχει διαρκής επικοινωνία μεταξύ του φορτιστή και της συσκευής για συνεχή έλεγχου της τάσης και της θερμοκρασίας.

Προς το παρόν δεν έχουν γίνει γνωστές άλλες λεπτομέρειες για το νέο SoC, για παράδειγμα σχετικές με τον επεξεργαστή γραφικών, το LTE modem ή την υποστήριξη καμερών.

Η μαζική παραγωγή ξεκινά άμεσα και θα το δούμε σε εμπορικά διαθέσιμες συσκευές μέσα στο πρώτο μισό του 2017, πιθανότατα και στα Samsung Galaxy S8 / S8 edge.

[via]