Μια πολύ σημαντική ανακοίνωση έγινε σήμερα από τη Samsung, καθώς γνωστοποίησε ότι κατάφερε να δημιουργήσει την πρώτη μνήμη NAND flash 3-bit-cell 64GB με τη διαδικασία των 20nm.

Η εταιρία δηλώνει ότι η νέα μνήμη (πρώτη αυτού του είδους στη βιομηχανία) χρησιμοποιεί την τεχνολογία Toggle DDR για καλύτερη απόδοση, ενώ η χρήση της μπορεί να γίνει τόσο σε USB flash drives όσο και σε κάρτες μνήμης SD.

Αξίξει να σημειώσουμε ότι η μνήμη 8GB NAND 20nm με την τεχνολογία Toggle DDR έχει κατά 60% καλύτερη απόδοση από την 32GB 3-bit NAND 30nm τεχνολογίας.

[πηγή BusinessWire]
Advertisements