up_icon
Memory Sony

Η Sony παρουσιάζει την πιο γρήγορη και πιο ανθεκτική κάρτα μνήμης SD στον κόσμο [IFA 2018]

30 Αυγούστου 2018 Yannis Elpidis

Η Sony παρουσιάζει την πιο γρήγορη και πιο ανθεκτική κάρτα μνήμης SD στον κόσμο [IFA 2018]

  • Η πιο ανθεκτική κάρτα μνήμης SD στον κόσμο έχει 18 φορές μεγαλύτερη αντοχή στις πτώσεις και τους κραδασμούς
  • Η πρώτη στον κόσμο με μονοκόμματη σχεδίαση για αντοχή και σταθερότητα.
  • Ο σχεδιασμός χωρίς εσωτερικά στηρίγματα (ribless) και διακόπτες εξασφαλίζει ότι δεν υπάρχουν εύθραυστα εξαρτήματα
  • Η ταχύτερη ανάγνωση παγκοσμίως έως 300MB/s και ταχύτητα εγγραφής έως και 299MB/s
  • Αδιάβροχη και ανθεκτική στην σκόνη σε αξιολόγηση παγκόσμιας κλάσης IPX8 και IP6X αντίστοιχα
  • Κρατήστε τα αρχεία σας ασφαλή με το πρόγραμμα σάρωσης (SD Scan Utility) και το λογισμικό File Rescue Software

Η Sony ανακοίνωσε στην IFA Berlin 2018 μια νέα καινοτομία στα μέσα αποθήκευσης με τo λανσάρισμα της UHS-II κάρτας μνήμης SD της σειράς "SF-G TOUGH specification". Ικανοποιώντας την ανάγκη των φωτογράφων, για τους οποίους είναι πολύ σημαντικό να παραμένουν οι φωτογραφίες τους ασφαλείς όταν αφαιρούνται οι κάρτες SD από τη φωτογραφική τους μηχανή, η νέα σειρά SF-G TOUGH specification συνδυάζει τις πιο γρήγορες ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής στον κόσμο και ένα εξαιρετικά στιβαρό, άκαμπτο σχεδιασμό έως 180N, με αντοχή σε πτώση έως και από 5 μέτρα. Για τους φωτογράφους που αγωνίζονται ενάντια στους εξωτερικούς παράγοντες και τα στοιχεία της φύσης για να τραβήξουν το τέλειο πλάνο, η σειρά καρτών μνήμης SD SF-G TOUGH specification είναι, επίσης, αδιάβροχη με βαθμό προστασίας IPX8 και ανθεκτική στη σκόνη με βαθμό προστασίας IP6X.

Η νέα σειρά SD καρτών SF-G TOUGH specification είναι 18 φορές πιο ανθεκτική από τις standard SD[ix], με την πρώτη μονολιθικού τύπου κατασκευή στον κόσμο (μονοκόμματη φόρμα, χωρίς κενό στην κάρτα) και υλικά υψηλής σκληρότητας, σε αντίθεση με συμβατικές SD κάρτες που αποτελούνται από ένα λεπτό σύνολο 3 τεμαχίων. Προστατεύονται από τις φυσικές ζημιές που μπορεί να επηρεάσει τις συμβατικές κάρτες SD, όπως φθορές στο πλαστικό περίβλημα, στο κλείδωμα προστασίας δεδομένων και στις πλευρές σύνδεσης.

Αυτό έχει επιτευχθεί χάρη στην νέα τεχνολογία που την καθιστά την πρώτη κάρτα μνήμης SD στον κόσμο χωρίς εσωτερικά στηρίγματα και χωρίς κανένα διακόπτη προστασίας εγγραφής. Αυτή η εξέλιξη διασφαλίζει ότι η σειρά SF-G TOUGH specification είναι πολύ πιο άκαμπτη, ενώ τα εύθραυστα τμήματα έχουν αφαιρεθεί εξ’ ολοκλήρου, ενώ έχει κατασκευαστεί από τη Sony, ώστε να παρέχει την καλύτερη ισορροπία σκληρότητας και ανθεκτικότητας. Πλήρως ασφαλής με ενιαία φόρμα, δεν επιτρέπει την εισροή νερού, σκόνης ή βρωμιάς στην κάρτα, φτάνοντας στον υψηλότερο βαθμό προστασίας (IPX8) και ανθεκτικότητας στη σκόνη (IP6X).

Απελευθερώστε την δύναμη της κάμερας

Στο πλαίσιο της τάσης που ξεκινά από τη Sony, οι “mirrorless” φωτογραφικές μηχανές πλήρους καρέ, όπως οι σειρές α9 και α7, παρουσιάζουν όλο και καλύτερες επιδόσεις τόσο στη φωτογραφία όσο και στο βίντεο. Αυτές οι κάμερες κορυφαίας τεχνολογίας βασίζονται σε γρήγορες κάρτες μνήμης για να μεγιστοποιήσουν την απόδοσή τους, και με τους επαγγελματίες φωτογράφους να χρησιμοποιούν κάρτες SD πιο συχνά, οι χρήστες απαιτούν επίπεδα αξιοπιστίας και αντοχής που σχετίζονται με άλλους επαγγελματικούς τύπους καρτών. Με την μεγαλύτερη ταχύτητα εγγραφής στον κόσμο, έως και 299MB/s, ελαχιστοποιείται ο χρόνος εκκαθάρισης buffer, γεγονός που επιτρέπει στον φωτογράφο να τραβήξει πολλά καρέ ανά δευτερόλεπτο και να καταγράψει τη σκηνή που θέλει. Η σειρά SF-G TOUGH specification υποστηρίζει επίσης το V90, το υψηλότερο πρότυπο στην κατηγορία ταχύτητας βίντεο, καθιστώντας την ιδανική για λήψη βίντεο υψηλής ανάλυσης.

Επιπλέον, η μεταφορά φωτογραφιών και αρχείων βίντεο υψηλής ανάλυσης γίνεται απλή με την σειρά SF-G TOUGH specification, χάρη στην ταχύτητα ανάγνωσης έως 300MB/s. Είναι η πιο γρήγορη ταχύτητα στον κόσμο και βελτιώνει σημαντικά την αποτελεσματικότητα της ροής εργασίας μετά την ολοκλήρωση της λήψης. Αναγνωρίζοντας πιο προσεκτικά τις πρακτικές ανάγκες των φωτογράφων, η σειρά SF-G TOUGH specification, χαρακτηρίζεται από φωτεινό κίτρινο σχεδιασμό, καθιστώντας τον εντοπισμό της κάρτας ευκολότερο σε σκοτεινές συνθήκες λήψης.

Απόλυτη Διασφάλιση

Οι κάρτες SD της σειράς SF-G TOUGH specification προσφέρουν ένα εύρος επιπλέον χαρακτηριστικών, τα οποία έχουν σχεδιαστεί για να παρέχουν στους φωτογράφους σιγουριά και αξιοπιστία. Αυτά περιλαμβάνουν την λειτουργία «SD Scan Utility» η οποία επιτρέπει στον χρήστη να ελέγξει ότι η κάρτα είναι σε καλή κατάσταση, και το «File Rescue Software[x]» που δίνει στο χρήστη τη δυνατότητα να ανακτήσει δεδομένα και φωτογραφίες που έχουν λανθασμένα διαγραφεί. Ακόμη, οι κάρτες SD της σειράς SF-G TOUGH specification είναι ανθεκτικές στις ακτίνες Χ-ray, την θερμοκρασία και την ακτινοβολία UV, είναι αντιστατικές και ανθεκτικές στους μαγνήτες.

Διαθεσιμότητα

Η σειρά καρτών μνήμης SF-G TOUGH θα είναι διαθέσιμη στα 32GB, 64GB και 128GB. Θα κυκλοφορήσουν στην Ευρώπη από τον Οκτώβριο.

Yannis Elpidis

Είμαι ένας λάτρης της τεχνολογίας και του διαδικτύου. Γνώρισα τον πρώτο μου υπολογιστή στα μέσα της δεκαετίας του '80 και ήταν "love at first sight" που λένε και στο χωριό μου. Θα με βρείτε καθημερινά στη "Darkpony Digital".

Αγαπημένο μότο:
 "There are 10 kinds of people, those who understand binary and those who don't."

ΣΧΟΛΙΑ
read more

Samsung: Ξεκίνησε την μαζική παραγωγή μνήμης V-NAND με την υψηλότερη πυκνότητα bit στη βιομηχανία

08 Νοεμβρίου 2022 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή ενός 1 terabit (Tb) triple-level cell (TLC) όγδοης γενιάς Vertical NAND (V-NAND) με την υψηλότερη πυκνότητα bit στον κλάδο, όπως υποσχέθηκε στο Flash ...

Samsung: Ανακοίνωσε νέας γενιάς μνήμη GDDR7 με bandwidth 36Gbps

10 Οκτωβρίου 2022 Christos Elpidis

Στο πλαίσιο της εκδήλωσης Samsung Tech Day 2022, η κορεάτικη εταιρεία αποκάλυψε τα σχέδια της για τον τομέα των ημιαγωγών και του hardware γενικότερα, καθώς αναφέρθηκε μεταξύ άλλων στην τεχνολογία 5G, στον ...

Η Samsung παρουσιάζει τα πρώτα 16Gb DRAM GDDR6 chips για ταχύτητες έως 24Gbps

14 Ιουλίου 2022 Christos Elpidis

Η Samsung πρωτοπορεί και πάλι στον τομέα των DRAM chips, ανακοινώνοντας επίσημα σήμερα τα πρώτα 16Gb GDDR6 chips που θα προσφέρουν ταχύτητες έως 24Gbps για έως 30% υψηλότερη απόδοση στους επεξεργαστές γραφικών ...

Η Samsung αποκαλύπτει μνήμη 512GB DDR5 RAM

27 Αυγούστου 2021 Christos Elpidis

Ως ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές στη βιομηχανία των ημιαγωγών, η Samsung έδωσε το παρόν στο ετήσιο συνέδριο Hot Chips 33 και εκεί αποκάλυψε πως έχει προχωρήσει στην ανάπτυξη του πρώτου DDR5 512GB RAM...

Samsung LPDDR5 uMCP: Το νέο chipset που συνδυάζει LPPDR5 DRAM και UFS 3.1 NAND flash

27 Ιουνίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung προχώρησε στην κατασκευή ενός νέου chipset μνήμης που συνδυάζει στο ίδιο πακέτο τις τεχνολογίες LPDDR5 RAM και UFS 3.1 NAND flash. Σύμφωνα με την εταιρεία, το Samsung LPDDR5 uMCP θα προσφέρει απόδοση ...

Η Samsung ανακοίνωσε module 512GB μνήμης RAM DDR5

29 Μαρτίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες 7200Mbps. Το 512GB DDR5 module ...

Η Samsung ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 16GB LPDDR5 DRAM για smartphones

31 Αυγούστου 2020 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ότι ξεκινά τη μαζική παραγωγή για μνήμες 16GB LPDDR5 DRAM για φορητές συσκευές, επομένως, δεν αργεί η εποχή που οι ναυαρχίδες θα κυκλοφορούν με ποσότητα RAM διπλάσια των casual ...

Samsung: Ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 512GB UFS 3.1 για smartphones

17 Μαρτίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ναυαρχίδες. Το νέο eUFS 3.1 της ...

Η Samsung παρουσιάζει την πρώτη μνήμη HMB2E 16GB Flashbolt 3ης γενιάς

05 Φεβρουαρίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των ...

Samsung: Η πρώτη που διακρίνεται για τη περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

26 Νοεμβρίου 2019 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0...

Loader
techgear_icon