up_icon
Memory Samsung Storage

Η Samsung παρουσιάζει τον μεγαλύτερο SSD στον κόσμο με χωρητικότητα 30.72TB!

20 Φεβρουαρίου 2018 Vangelis Kompos

Η Samsung παρουσιάζει τον μεγαλύτερο SSD στον κόσμο με χωρητικότητα 30.72TB!

Πριν από περίπου 2 χρόνια η Samsung είχε παρουσιάσει τον μεγαλύτερο SSD στον κόσμο με χωρητικότητα 15.36TB, αλλά σήμερα καταφέρνει να μας εντυπωσιάσει ακόμα περισσότερο διπλασιάζοντας την χωρητικότητα και βελτιώνοντας σημαντικά την απόδοση του.

Συγκεκριμένα, ο Samsung PM1643  χώρεσε στο ίδιο πλαίσιο των 2.5'' και προσφέρει αποθηκευτικό χώρο 30.72TB, ενώ οι ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής είναι 2100MB/s και 1700MB/s αντίστοιχα.

Η εταιρεία τα κατάφερε χρησιμοποιώντας 3D vertical NAND chips χωρητικότητας 512GB  το καθένα, τα οποία έχουν το μισό μέγεθος σε σύγκριση με τα αντίστοιχα χωρητικότητας 1TB που παρουσίασε πέρυσι. Με αυτόν τον τρόπο μπορεί να προχωρήσει την μαζική παραγωγή τους για χρήση σε SSDs με μικρότερη χωρητικότητα (15.36TB, 7.68TB, 3.84TB, 1.92TB, 960MB και 800GB).

Για την ώρα δεν έχουν γίνει γνωστές οι τιμές των νέων SSDs.Sa

[Samsung]

Vangelis Kompos

Έχει επαφή με τα κομπιούτερζ από όταν απέκτησε πιτσιρικάς ένα Sinclair ZX81 με ένα ολόκληρο Kbyte μνήμης Ram, μπούκαρε στα ίντερνετς από την εποχή των BBS και των modem 1200bps.
Αποτελεί πλέον προστατευόμενο είδος καθώς επιμένει να λατρεύει τα windows, να μένει μακριά από μήλα οποιασδήποτε μορφής και να χρησιμοποιεί κουρδιστό μηχανικό ρολόι. Τρέχα γύρευε…

ΣΧΟΛΙΑΣΤΕ
ΣΧΟΛΙΑ
read more

Samsung: Ξεκίνησε την μαζική παραγωγή μνήμης V-NAND με την υψηλότερη πυκνότητα bit στη βιομηχανία

08 Νοεμβρίου 2022 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή ενός 1 terabit (Tb) triple-level cell (TLC) όγδοης γενιάς Vertical NAND (V-NAND) με την υψηλότερη πυκνότητα bit στον κλάδο, όπως υποσχέθηκε στο Flash ...

Samsung: Ανακοίνωσε νέας γενιάς μνήμη GDDR7 με bandwidth 36Gbps

10 Οκτωβρίου 2022 Christos Elpidis

Στο πλαίσιο της εκδήλωσης Samsung Tech Day 2022, η κορεάτικη εταιρεία αποκάλυψε τα σχέδια της για τον τομέα των ημιαγωγών και του hardware γενικότερα, καθώς αναφέρθηκε μεταξύ άλλων στην τεχνολογία 5G, στον ...

Η Samsung παρουσιάζει τα πρώτα 16Gb DRAM GDDR6 chips για ταχύτητες έως 24Gbps

14 Ιουλίου 2022 Christos Elpidis

Η Samsung πρωτοπορεί και πάλι στον τομέα των DRAM chips, ανακοινώνοντας επίσημα σήμερα τα πρώτα 16Gb GDDR6 chips που θα προσφέρουν ταχύτητες έως 24Gbps για έως 30% υψηλότερη απόδοση στους επεξεργαστές γραφικών ...

Η Samsung αποκαλύπτει μνήμη 512GB DDR5 RAM

27 Αυγούστου 2021 Christos Elpidis

Ως ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές στη βιομηχανία των ημιαγωγών, η Samsung έδωσε το παρόν στο ετήσιο συνέδριο Hot Chips 33 και εκεί αποκάλυψε πως έχει προχωρήσει στην ανάπτυξη του πρώτου DDR5 512GB RAM...

Samsung LPDDR5 uMCP: Το νέο chipset που συνδυάζει LPPDR5 DRAM και UFS 3.1 NAND flash

27 Ιουνίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung προχώρησε στην κατασκευή ενός νέου chipset μνήμης που συνδυάζει στο ίδιο πακέτο τις τεχνολογίες LPDDR5 RAM και UFS 3.1 NAND flash. Σύμφωνα με την εταιρεία, το Samsung LPDDR5 uMCP θα προσφέρει απόδοση ...

Η Samsung ανακοίνωσε module 512GB μνήμης RAM DDR5

29 Μαρτίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες 7200Mbps. Το 512GB DDR5 module ...

Η Samsung ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 16GB LPDDR5 DRAM για smartphones

31 Αυγούστου 2020 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ότι ξεκινά τη μαζική παραγωγή για μνήμες 16GB LPDDR5 DRAM για φορητές συσκευές, επομένως, δεν αργεί η εποχή που οι ναυαρχίδες θα κυκλοφορούν με ποσότητα RAM διπλάσια των casual ...

Samsung: Ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 512GB UFS 3.1 για smartphones

17 Μαρτίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ναυαρχίδες. Το νέο eUFS 3.1 της ...

Η Samsung παρουσιάζει την πρώτη μνήμη HMB2E 16GB Flashbolt 3ης γενιάς

05 Φεβρουαρίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των ...

Samsung: Η πρώτη που διακρίνεται για τη περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

26 Νοεμβρίου 2019 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0...

Loader
please wait
techgear_icon