Samsung 64GB 3-bit NAND flash memory έτοιμη για USB Flash Drives και κάρτες μνήμης SD

Μια πολύ σημαντική ανακοίνωση έγινε σήμερα από τη Samsung, καθώς γνωστοποίησε ότι κατάφερε να δημιουργήσει την πρώτη μνήμη NAND flash 3-bit-cell 64GB με τη διαδικασία των 20nm.

Η εταιρία δηλώνει ότι η νέα μνήμη (πρώτη αυτού του είδους στη βιομηχανία) χρησιμοποιεί την τεχνολογία Toggle DDR για καλύτερη απόδοση, ενώ η χρήση της μπορεί να γίνει τόσο σε USB flash drives όσο και σε κάρτες μνήμης SD.

Αξίξει να σημειώσουμε ότι η μνήμη 8GB NAND 20nm με την τεχνολογία Toggle DDR έχει κατά 60% καλύτερη απόδοση από την 32GB 3-bit NAND 30nm τεχνολογίας.