up_icon
Memory Technology

SD Express: Αυτό είναι το νέο format για κάρτες SD χωρητικότητας έως 128TB! [Video]

28 Ιουνίου 2018 Vangelis Kompos

SD Express: Αυτό είναι το νέο format για κάρτες SD χωρητικότητας έως 128TB! [Video]

Σπουδαία τα νέα για τις κάρτες μνήμης SD, καθώς η SD Assosiation ανακοίνωσε επίσημα το νέο format SD Express που ενσωματώνει τα πρότυπα PCI Express και NVMe, με αποτέλεσμα οι μελλοντικές κάρτες SD να έχουν τη δυνατότητα μεταφοράς δεδομένων με ταχύτητα έως και 985MB/s!

Εκτός από την μεγάλη ταχύτητα, το νέο SD Express format θα επιτρέπει την κατασκευή καρτών χωρητικότητας από 2TB έως 128TB! Για να πάρετε μια τάξη μεγέθους, μια κάρτα SD με τη μέγιστη χωρητικότητα θα επιτρέπει την αποθήκευση 25.000 ταινιών σε ποιότητα HD ή 256 εκατομμύρια φωτογραφίες (με μέγεθος αρχείου 500KB) ή σχεδόν όλα τα τραγούδια της μουσικής υπηρεσίας Spotify!

Προφανώς απέχουμε αρκετά χρόνια από την κυκλοφορία καρτών SD με χωρητικότητα 128TB σε λογική τιμή και πιθανότατα τότε δεν θα υφίσταται καν υποδοχή SD σε εμπορικές συσκευές, αφού έχει γίνει η στροφή στις microSD εδώ και αρκετά χρόνια. Παρόλα αυτά, μια κάρτα SD Express με χωρητικότητα 2TB ή 4TB θα μπορούσε να αποτελέσει μια εξαιρετική λύση για να έχεις backup όλο το ψηφιακό αρχείο σου. Άλλη πιθανή εφαρμογή θα μπορούσε να είναι για τους επαγγελματίες δημιουργούς video σε ανάλυση 4K, 8K και VR.

[via]

Vangelis Kompos

Έχει επαφή με τα κομπιούτερζ από όταν απέκτησε πιτσιρικάς ένα Sinclair ZX81 με ένα ολόκληρο Kbyte μνήμης Ram, μπούκαρε στα ίντερνετς από την εποχή των BBS και των modem 1200bps.
Αποτελεί πλέον προστατευόμενο είδος καθώς επιμένει να λατρεύει τα windows, να μένει μακριά από μήλα οποιασδήποτε μορφής και να χρησιμοποιεί κουρδιστό μηχανικό ρολόι. Τρέχα γύρευε…

ΣΧΟΛΙΑ
read more

Η Samsung παρουσιάζει τα πρώτα 16Gb DRAM GDDR6 chips για ταχύτητες έως 24Gbps

14 Ιουλίου 2022 Christos Elpidis

Η Samsung πρωτοπορεί και πάλι στον τομέα των DRAM chips, ανακοινώνοντας επίσημα σήμερα τα πρώτα 16Gb GDDR6 chips που θα προσφέρουν ταχύτητες έως 24Gbps για έως 30% υψηλότερη απόδοση στους επεξεργαστές γραφικών ...

Η Samsung αποκαλύπτει μνήμη 512GB DDR5 RAM

27 Αυγούστου 2021 Christos Elpidis

Ως ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές στη βιομηχανία των ημιαγωγών, η Samsung έδωσε το παρόν στο ετήσιο συνέδριο Hot Chips 33 και εκεί αποκάλυψε πως έχει προχωρήσει στην ανάπτυξη του πρώτου DDR5 512GB RAM...

Samsung LPDDR5 uMCP: Το νέο chipset που συνδυάζει LPPDR5 DRAM και UFS 3.1 NAND flash

27 Ιουνίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung προχώρησε στην κατασκευή ενός νέου chipset μνήμης που συνδυάζει στο ίδιο πακέτο τις τεχνολογίες LPDDR5 RAM και UFS 3.1 NAND flash. Σύμφωνα με την εταιρεία, το Samsung LPDDR5 uMCP θα προσφέρει απόδοση ...

Η Samsung ανακοίνωσε module 512GB μνήμης RAM DDR5

29 Μαρτίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες 7200Mbps. Το 512GB DDR5 module ...

Η Samsung ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 16GB LPDDR5 DRAM για smartphones

31 Αυγούστου 2020 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ότι ξεκινά τη μαζική παραγωγή για μνήμες 16GB LPDDR5 DRAM για φορητές συσκευές, επομένως, δεν αργεί η εποχή που οι ναυαρχίδες θα κυκλοφορούν με ποσότητα RAM διπλάσια των casual ...

Samsung: Ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 512GB UFS 3.1 για smartphones

17 Μαρτίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ναυαρχίδες. Το νέο eUFS 3.1 της ...

Η Samsung παρουσιάζει την πρώτη μνήμη HMB2E 16GB Flashbolt 3ης γενιάς

05 Φεβρουαρίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των ...

Samsung: Η πρώτη που διακρίνεται για τη περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

26 Νοεμβρίου 2019 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0...

Samsung: Πρώτη DRAM 3ης γενιάς στα 10nm για premium εφαρμογές μνήμης

21 Μαρτίου 2019 Yannis Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια 3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες μετά την μαζική παραγωγή της ...

Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή μνήμης RAM 12GB για smartphones

15 Μαρτίου 2019 Yannis Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή της mobile DRAM με την ύψιστη χωρητικότητα. Η νέα mobile DRAM είναι η πρώτη 4Χ στη βιομηχανία με μέγεθος 12-gigabyte (GB), χαμηλής ισχύος, με διπλή ταχύτητα ...

Loader
techgear_icon