up_icon
Memory Storage Technology

UFS 3.0: Ανακοινώθηκε το νέο πρότυπο και φέρνει διπλάσια ταχύτητα στον αποθηκευτικό χώρο των συσκευών

31 Ιανουαρίου 2018 Kyriakos Ananiadis

UFS 3.0: Ανακοινώθηκε το νέο πρότυπο και φέρνει διπλάσια ταχύτητα στον αποθηκευτικό χώρο των συσκευών

Είναι γεγονός ότι δεν έχει καθιερωθεί να κοιτάμε την ταχύτητα του αποθηκευτικού χώρου στα smartphones, αν και μερικές φορές οι εταιρείες το τονίζουν στην ανάλυση των τεχνικών χαρακτηριστικών των συσκευών τους. Για παράδειγμα, η Samsung χρησιμοποιεί μνήμες UFS 2.0 (Universal Flash Storage) στα high-end smartphones.

Σήμερα, ο οργανισμός JEDEC ανακοίνωσε το νέο πρότυπο UFS 3.0, το οποίο υπόσχεται υποστήριξη διπλάσιου bandwidth με χαμηλότερη ενεργειακή κατανάλωση. Ένα κανάλι μεταφοράς δεδομένων μπορεί να φτάσει ταχύτητα έως 11.6Gbps, δηλαδή διπλάσιο από το σημερινό πρότυπο UFS 2.1, ενώ αν χρησιμοποιηθούν δύο κανάλια η ταχύτητα φτάνει τα 23.2Gbps. Επιπλέον, το UFS 3.0 μπορεί να λειτουργήσει σε τάση 2.5V (από 2.7V - 3.6V που είναι σήμερα) και αντέχει σε θερμοκρασίες -40°C έως 105°C.

Αναμένουμε ότι μέσα στους επόμενους μήνες θα ακούσουμε για το πρώτο smartphone με αποθηκευτικό χώρο UFS 3.0.

[via]

 

Kyriakos Ananiadis

ΣΧΟΛΙΑ
read more

Η Samsung αποκαλύπτει μνήμη 512GB DDR5 RAM

27 Αυγούστου 2021 Christos Elpidis

Ως ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές στη βιομηχανία των ημιαγωγών, η Samsung έδωσε το παρόν στο ετήσιο συνέδριο Hot Chips 33 και εκεί αποκάλυψε πως έχει προχωρήσει στην ανάπτυξη του πρώτου DDR5 512GB RAM...

Samsung LPDDR5 uMCP: Το νέο chipset που συνδυάζει LPPDR5 DRAM και UFS 3.1 NAND flash

27 Ιουνίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung προχώρησε στην κατασκευή ενός νέου chipset μνήμης που συνδυάζει στο ίδιο πακέτο τις τεχνολογίες LPDDR5 RAM και UFS 3.1 NAND flash. Σύμφωνα με την εταιρεία, το Samsung LPDDR5 uMCP θα προσφέρει απόδοση ...

Η Samsung ανακοίνωσε module 512GB μνήμης RAM DDR5

29 Μαρτίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες 7200Mbps. Το 512GB DDR5 module ...

Η Samsung ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 16GB LPDDR5 DRAM για smartphones

31 Αυγούστου 2020 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ότι ξεκινά τη μαζική παραγωγή για μνήμες 16GB LPDDR5 DRAM για φορητές συσκευές, επομένως, δεν αργεί η εποχή που οι ναυαρχίδες θα κυκλοφορούν με ποσότητα RAM διπλάσια των casual ...

Samsung: Ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 512GB UFS 3.1 για smartphones

17 Μαρτίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ναυαρχίδες. Το νέο eUFS 3.1 της ...

Η Samsung παρουσιάζει την πρώτη μνήμη HMB2E 16GB Flashbolt 3ης γενιάς

05 Φεβρουαρίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των ...

Samsung: Η πρώτη που διακρίνεται για τη περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

26 Νοεμβρίου 2019 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0...

Samsung: Πρώτη DRAM 3ης γενιάς στα 10nm για premium εφαρμογές μνήμης

21 Μαρτίου 2019 Yannis Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια 3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες μετά την μαζική παραγωγή της ...

Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή μνήμης RAM 12GB για smartphones

15 Μαρτίου 2019 Yannis Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή της mobile DRAM με την ύψιστη χωρητικότητα. Η νέα mobile DRAM είναι η πρώτη 4Χ στη βιομηχανία με μέγεθος 12-gigabyte (GB), χαμηλής ισχύος, με διπλή ταχύτητα ...

Η Samsung ξεκινά μαζική παραγωγή ταχύτερης μνήμης 512GB eUFS 3.0 για φορητές συσκευές

27 Φεβρουαρίου 2019 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα την εκκίνηση της μαζικής παραγωγής μνημης 512GB eUFS 3.0 για την επόμενη γενιά φορητών συσκευών και παράλληλα αποκάλυψε ότι μέχρι το τέλος του έτους θα κυκλοφορήσει και μνήμη ...

Loader
techgear_icon