Η Samsung προχώρησε στην κατασκευή ενός νέου chipset μνήμης που συνδυάζει στο ίδιο πακέτο τις τεχνολογίες LPDDR5 RAM και UFS 3.1 NAND flash. Σύμφωνα με την εταιρεία, το Samsung ...
Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες ...
Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ότι ξεκινά τη μαζική παραγωγή για μνήμες 16GB LPDDR5 DRAM για φορητές συσκευές, επομένως, δεν αργεί η εποχή που οι ναυαρχίδες θα κυκλοφορούν με ...
Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ...
Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της ...
Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό ...
Η Samsung ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια 3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες ...
Η Samsung ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή της mobile DRAM με την ύψιστη χωρητικότητα. Η νέα mobile DRAM είναι η πρώτη 4Χ στη βιομηχανία με μέγεθος 12-gigabyte (GB), χαμηλής ...
Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα την εκκίνηση της μαζικής παραγωγής μνημης 512GB eUFS 3.0 για την επόμενη γενιά φορητών συσκευών και παράλληλα αποκάλυψε ότι μέχρι το τέλος του ...
Δεν είναι μόνο η ποσότητα της μνήμης RAM που παίζει ρόλο στην απόδοση μιας συσκευής, αλλά και η ταχύτητα της. Γι' αυτό υποδεχόμαστε με χαρά την ανακοίνωση της σύμπραξης JEDEC ...
