Memory

• Samsung
• Memory
• Storage
• Hardware

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ...

• Samsung
• Memory
• Hardware

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της ...

• Samsung
• Memory
• Storage
• Hardware

Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό ...

• Hardware
• Memory
• Samsung

Η Samsung ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια 3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες ...

• Hardware
• Memory
• Smartphones
• Samsung

Η Samsung ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή της mobile DRAM με την ύψιστη χωρητικότητα. Η νέα mobile DRAM είναι η πρώτη 4Χ στη βιομηχανία με μέγεθος 12-gigabyte (GB), χαμηλής ...

• Hardware
• Memory
• Samsung
• Storage

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα την εκκίνηση της μαζικής παραγωγής μνημης 512GB eUFS 3.0 για την επόμενη γενιά φορητών συσκευών και παράλληλα αποκάλυψε ότι μέχρι το τέλος του ...

• Hardware
• Memory
• Technology

Δεν είναι μόνο η ποσότητα της μνήμης RAM που παίζει ρόλο στην απόδοση μιας συσκευής, αλλά και η ταχύτητα της. Γι' αυτό υποδεχόμαστε με χαρά την ανακοίνωση της σύμπραξης JEDEC ...

• Android
• Gifts
• Memory
• Smartphones

Πέρασαν αρκετές εβδομάδες από την τελευταία μας επίσκεψη στο κατάστημα Tomtop, αλλά άξιζε η αναμονή διότι έχουμε μπροστά μας φοβερές προσφορές για ένα από τα κλασικά ...

• Memory
• Sony

Η πιο ανθεκτική κάρτα μνήμης SD στον κόσμο έχει 18 φορές μεγαλύτερη αντοχή στις πτώσεις και τους κραδασμούς Η πρώτη στον κόσμο με μονοκόμματη σχεδίαση για αντοχή και σταθερότητα....

• Hardware
• Memory
• Samsung

Ακόμα μία σημαντική ανακοίνωση σήμερα από τη Samsung, η οποία επιβεβαίωσε ότι πως ξεκινά τη μαζική παραγωγή της δεύτερης γενιάς μνήμης RAM 8GB LPDDR4X με τη διαδικασία των 10nm ...