up_icon

Memory

Samsung: Ξεκίνησε την μαζική παραγωγή μνήμης V-NAND με την υψηλότερη πυκνότητα bit στη βιομηχανία

08 Νοεμβρίου 2022 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή ενός 1 terabit (Tb) triple-level cell (TLC) όγδοης γενιάς Vertical NAND (V-NAND) με την υψηλότερη πυκνότητα bit στον ...

Samsung: Ανακοίνωσε νέας γενιάς μνήμη GDDR7 με bandwidth 36Gbps

10 Οκτωβρίου 2022 Christos Elpidis

Στο πλαίσιο της εκδήλωσης Samsung Tech Day 2022, η κορεάτικη εταιρεία αποκάλυψε τα σχέδια της για τον τομέα των ημιαγωγών και του hardware γενικότερα, καθώς αναφέρθηκε μεταξύ άλλων...

Η Samsung παρουσιάζει τα πρώτα 16Gb DRAM GDDR6 chips για ταχύτητες έως 24Gbps

14 Ιουλίου 2022 Christos Elpidis

Η Samsung πρωτοπορεί και πάλι στον τομέα των DRAM chips, ανακοινώνοντας επίσημα σήμερα τα πρώτα 16Gb GDDR6 chips που θα προσφέρουν ταχύτητες έως 24Gbps για έως 30% υψηλότερη ...

Η Samsung αποκαλύπτει μνήμη 512GB DDR5 RAM

27 Αυγούστου 2021 Christos Elpidis

Ως ένας από τους μεγαλύτερους κατασκευαστές στη βιομηχανία των ημιαγωγών, η Samsung έδωσε το παρόν στο ετήσιο συνέδριο Hot Chips 33 και εκεί αποκάλυψε πως έχει προχωρήσει στην ...

Samsung LPDDR5 uMCP: Το νέο chipset που συνδυάζει LPPDR5 DRAM και UFS 3.1 NAND flash

27 Ιουνίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung προχώρησε στην κατασκευή ενός νέου chipset μνήμης που συνδυάζει στο ίδιο πακέτο τις τεχνολογίες LPDDR5 RAM και UFS 3.1 NAND flash. Σύμφωνα με την εταιρεία, το Samsung ...

Η Samsung ανακοίνωσε module 512GB μνήμης RAM DDR5

29 Μαρτίου 2021 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες ...

Η Samsung ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 16GB LPDDR5 DRAM για smartphones

31 Αυγούστου 2020 Christos Elpidis

Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ότι ξεκινά τη μαζική παραγωγή για μνήμες 16GB LPDDR5 DRAM για φορητές συσκευές, επομένως, δεν αργεί η εποχή που οι ναυαρχίδες θα κυκλοφορούν με ...

Samsung: Ξεκίνησε μαζική παραγωγή μνήμης 512GB UFS 3.1 για smartphones

17 Μαρτίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ...

Η Samsung παρουσιάζει την πρώτη μνήμη HMB2E 16GB Flashbolt 3ης γενιάς

05 Φεβρουαρίου 2020 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της ...

Samsung: Η πρώτη που διακρίνεται για τη περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

26 Νοεμβρίου 2019 Techgear Team

Η Samsung ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό ...

Loader