Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα την ανάπτυξη της μνήμης DDR5 DRAM 16 gigabit (Gb) που έχει κατασκευαστεί αξιοποιώντας την πρώτη τεχνολογία διεργασιών κατηγορίας 12 νανομέτρων (nm) της βιομηχανίας, καθώς και την ολοκλήρωση της αξιολόγησης του προϊόντος για συμβατότητα με την AMD.
Αυτό το τεχνολογικό άλμα κατέστη δυνατό μέσω της χρήσης ενός νέου υλικού που αυξάνει την χωρητικότητα της κυψέλης αλλά και με τη βοήθεια της αποκλειστικής τεχνολογίας σχεδιασμού που βελτιώνει τα κρίσιμα χαρακτηριστικά του κυκλώματος. Σε συνδυασμό με προηγμένη λιθογραφία ακραίων υπεριωδών ακτίνων (EUV) πολλαπλών στρωμάτων, η νέα DRAM διαθέτει την υψηλότερη πυκνότητα μήτρας του κλάδου, επιτρέποντας 20% κέρδος στην παραγωγικότητα του wafer (δισκίο πυριτίου).
Αξιοποιώντας το πιο πρόσφατο πρότυπο DDR5, η DRAM κατηγορίας 12 nm της Samsung θα βοηθήσει να «ξεκλειδωθούν» ταχύτητες έως και 7,2 gigabit ανά δευτερόλεπτο (Gbps). Η δυνατότητα αυτή, αντιστοιχεί στην επεξεργασία δύο ταινιών UHD των 30 gigabyte (GB) σε μόλις ένα δευτερόλεπτο.
Επιπλέον, η εξαιρετική ταχύτητα της νέας DRAM συνδυάζεται με μεγαλύτερη απόδοση ισχύος. Καταναλώνοντας έως και 23% λιγότερη ενέργεια από την προηγούμενη DRAM, η DRAM κατηγορίας 12 nm θα αποτελεί την ιδανική λύση για παγκόσμιες εταιρείες πληροφορικής που επιδιώκουν λειτουργίες πιο φιλικές προς το περιβάλλον.
Με τη μαζική παραγωγή να ξεκινά το 2023, η Samsung σχεδιάζει να διευρύνει τη σειρά DRAM που βασίζεται στην προηγμένη τεχνολογία 12 nm, σε ένα ευρύ φάσμα τμημάτων της αγοράς, καθώς συνεχίζει να συνεργάζεται με άλλες εταιρείες του κλάδου για να υποστηρίξει την ταχεία επέκταση των υπολογιστών επόμενης γενιάς.
